AS4C4M16SA-6TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 580 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

AS4C SDRAM
Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C4M16SA-6TCN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2152926

Технические параметры

Вес, г

3.04

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время доступа:

5.4 ns

Категория продукта:

DRAM

Максимальная рабочая температура:

+70 C

Максимальная тактовая частота:

166 MHz

Минимальная рабочая температура:

0 C

Напряжение питания - макс.:

3.6 V, 50 mA

Напряжение питания - мин.:

3 V

Организация:

4 M x 16

Подкатегория:

Memory и Data Storage

Производитель:

Alliance Memory

Размер памяти:

64 Mbit

Серия:

AS4C4M16SA

Тип продукта:

DRAM

Торговая марка:

Alliance Memory

Упаковка / блок:

TSOP-54

Чувствительный к влажности:

Yes

Упаковка:

Tray

Тип:

SDRAM

Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:

108

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1198 КБ

AS4C4M16SA-6TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В - характеристики, поставщики

Последняя цена 580 руб.

Техническая документация