AS4C32M16SB-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1690 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

DRAM 512 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 32 МБ x 16 SDRAM

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C32M16SB-7TCN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2122169

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 70 C

Минимальная рабочая температура

0 C

Организация

32 M x 16

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

5.4 ns

Категория продукта

DRAM

Максимальная тактовая частота

143 MHz

Напряжение питания - макс.

110 mA, 3.6 V

Напряжение питания - мин.

3 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

512 Mbit

Размер фабричной упаковки

108

Серия

AS4C32M16SB

Тип продукта

DRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TSOP-54

Access Time

5.4ns

Clock Frequency

143MHz

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0028

Memory Format

DRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

512Mb (32M x 16)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

54-TSOP II

Technology

SDRAM

Voltage - Supply

3V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

14ns

Вес, г

Тип

SDRAM

Чувствительный к влажности

Yes

Ширина Шины Данных

16 bit

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1268 КБ

AS4C32M16SB-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В - характеристики, поставщики

Последняя цена 1690 руб.

Техническая документация