AS4C32M16D1A-5TIN, Память, DDR1,SDRAM, 32Mx16бит, 2,5В, 200МГц, TSOP66, -40-85°C, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 750 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

SDRAM - ИС памяти DDR 512 МБ (32M x 16) Параллельный 200 МГц 700ps 66-TSOP II

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C32M16D1A-5TIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2194125

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Организация

32 M x 16

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

DRAM

Максимальная тактовая частота

200 MHz

Напряжение питания - макс.

2.7 V

Напряжение питания - мин.

2.3 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

64 Mbit

Размер фабричной упаковки

108

Серия

AS4C32M16D1A

Тип продукта

DRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TSOP-66

Access Time

700ps

Clock Frequency

200MHz

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0024

Memory Format

DRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

512Mb (32M x 16)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

66-TSOP II

Technology

SDRAM - DDR

Voltage - Supply

2.3V ~ 2.7V

Write Cycle Time - Word, Page

15ns

Вес, г

Тип

SDRAM - DDR1

Ширина Шины Данных

16 bit

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1449 КБ
Datasheet , pdf , 1437 КБ

AS4C32M16D1A-5TIN, Память, DDR1,SDRAM, 32Mx16бит, 2,5В, 200МГц, TSOP66, -40-85°C - характеристики, поставщики

Последняя цена 750 руб.

Техническая документация