AS4C1M16S-6TIN, Микросхема памяти, SDRAM, 1Mx16бит, 3,3В, 166МГц, 5,4нс, TSOP50, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 480 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

DRAM 16M, 3.3V, 143Mhz 1M x 16 Sync DRAM

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C1M16S-6TIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2127889

Технические параметры

Категория продукта

DRAM

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер фабричной упаковки

117

Серия

AS4C1M16S-6

Тип продукта

DRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Access Time

5.4ns

Clock Frequency

166MHz

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0002

Memory Format

DRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

16Mb (1M x 16)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

50-TSOP II

Technology

SDRAM

Voltage - Supply

3V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

2ns

Вес, г

2.51

Тип

SDRAM

Техническая документация

Datasheet , pdf , 916 КБ
Datasheet AS4C1M16S-6TIN , pdf , 924 КБ

AS4C1M16S-6TIN, Микросхема памяти, SDRAM, 1Mx16бит, 3,3В, 166МГц, 5,4нс, TSOP50 - характеристики, поставщики

Последняя цена 480 руб.

Техническая документация