71256SA15YG, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 4.5В до 5.5В, SOJ, 28 вывод(-ов), 15 нс, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM

SRAM - ИС асинхронной памяти 256 КБ (32 КБ x 8) Параллельный 15 нс 28-SOJ

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

71256SA15YG

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1114460

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

70 C

Минимальная рабочая температура

0 C

Время доступа

15нс

Размер памяти

256Кбит

Access Time

15ns

Base Product Number

IDT71256 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

256Kb (32K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

28-BSOJ (0.300"", 7.62mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

28-SOJ

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

4.5V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

15ns

Вес, г

0.83

Количество Выводов

28вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

SOJ

Диапазон Напряжения Питания

4.5В до 5.5В

Конфигурация Памяти SRAM

32К x 8бит

Техническая документация

Datasheet , pdf , 164 КБ
Datasheet 71256SA15YG , pdf , 749 КБ

71256SA15YG, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 4.5В до 5.5В, SOJ, 28 вывод(-ов), 15 нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация