71024S20YGI, SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 4.5В до 5.5В, SOJ, 32 вывод(-ов), 20 нс, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM

SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (128 КБ x 8), параллельная, 20 нс, 32-SOJ

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

71024S20YGI

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1114331

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

85 C

Минимальная рабочая температура

-40 C

Время доступа

20нс

Размер памяти

1Мбит

Access Time

20ns

Base Product Number

IDT71024 ->

ECCN

3A991B2B

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

1Mb (128K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

32-BSOJ (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

32-SOJ

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

4.5V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

20ns

Вес, г

0.833

Количество Выводов

32вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

SOJ

Диапазон Напряжения Питания

4.5В до 5.5В

Конфигурация Памяти SRAM

128К x 8бит

Техническая документация

Datasheet , pdf , 215 КБ
Datasheet , pdf , 278 КБ

71024S20YGI, SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 4.5В до 5.5В, SOJ, 32 вывод(-ов), 20 нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 570 руб.

Техническая документация