6116SA15TPG, SRAM, 16 Кбит, 2К x 8бит, 4.5В до 5.5В, DIP, 24 вывод(-ов), 15 нс, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 830 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM

SRAM - ИС асинхронной памяти 16 КБ (2 КБ x 8) Параллельный 15 нс 24-PDIP

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

6116SA15TPG

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1104420

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

70 C

Минимальная рабочая температура

0 C

Время доступа

15нс

Размер памяти

16Кбит

Access Time

15ns

Base Product Number

IDT6116 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

16Kb (2K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

24-DIP (0.300"", 7.62mm)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

24-PDIP

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

4.5V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

15ns

Вес, г

0.01

Количество Выводов

24вывод(-ов)

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

dip

Диапазон Напряжения Питания

4.5В до 5.5В

Конфигурация Памяти SRAM

2К x 8бит

Техническая документация

Datasheet 6116SA15TPG , pdf , 87 КБ
Datasheet , pdf , 192 КБ

6116SA15TPG, SRAM, 16 Кбит, 2К x 8бит, 4.5В до 5.5В, DIP, 24 вывод(-ов), 15 нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 830 руб.

Техническая документация