2SA2040-TL-E, Транзистор: NPN, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 50V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2SA2040-TL-E

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2073424

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

700

Серия

2SA2040

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Type

PNP

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Mounting

Surface Mount

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

2SA2040 ->

Material

Pd - рассеивание мощности

1 W

Упаковка / блок

TO-252-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package

2-TP-FA

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Pin Count

Конфигурация

Single

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Максимальный постоянный ток коллектора

11 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.23 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

290 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition

290MHz

Power - Max

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 40mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Package Height

2.3

Package Length

6.5

Package Width

5.5

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Tab

Product Category

Bipolar Power

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@40mA@2A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.39@175mA@3.5A|0.4@40mA@2A

Maximum DC Collector Current (A)

Minimum DC Current Gain

200@500mA@2V

Maximum Transition Frequency (MHz)

290(Typ)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 431 КБ
Datasheet , pdf , 440 КБ
Datasheet , pdf , 447 КБ

2SA2040-TL-E, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация