ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6045G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 75Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6045G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 75Вт, TO220…
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
2N6045G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 75Вт, TO220-3
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6045G
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
1832734
Технические параметры
Вес, г
2.01
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
2N6045
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Brand
ON Semiconductor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Package
Tube
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Ширина
4.83 mm
Длина
10.53 mm
Вид монтажа
Through Hole
Dimensions
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Length
15.75mm
Base Product Number
2N6045 ->
Высота
15.75 mm
Pd - рассеивание мощности
75 W
Упаковка / блок
TO-220-3
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-220AB
Width
10.28mm
Pin Count
3
Конфигурация
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
1000
Максимальный постоянный ток коллектора
8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
20ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 4V
Power - Max
75W
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 12mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
20000
Непрерывный коллекторный ток
8 A
Maximum Power Dissipation
75 W
Height
4.82mm
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Максимальный ток отсечки коллектора
20 uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 289 КБ