ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5883G, Транзистор: PNP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N5883G, Транзистор: PNP
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
2N5883G, Транзистор: PNP
Последняя цена
880 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 25A 60V 200W PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N5883G
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2073732
Технические параметры
Вес, г
5
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
100
Серия
2N5883
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tray
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Package
Tray
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Ширина
26.67 mm
Длина
39.37 mm
Вид монтажа
Through Hole
Base Product Number
2N5883 ->
Высота
8.51 mm
Pd - рассеивание мощности
200 W
Упаковка / блок
TO-204-2
Operating Temperature
-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Конфигурация
Single
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
20
Максимальный постоянный ток коллектора
25 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
4 MHz
Технология
Si
Current - Collector (Ic) (Max)
25A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition
4MHz
Power - Max
200W
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 6.25A, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Непрерывный коллекторный ток
25 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 146 КБ
Datasheet , pdf
, 145 КБ
