1EDN7550UXTSA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 вывод(-ов), Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

1EDN7550UXTSA1

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1056429

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Максимальное Напряжение Питания

20В

Минимальное Напряжение Питания

4.5В

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Задержка по Входу

45нс

Задержка Выхода

45нс

Конфигурация Привода

Высокая Сторона и Низкая Сторона

Power Switch Type

GaN HEMT, IGBT, MOSFET

Вес, г

0.1

Input Type

Non-Inverting

Sink Current

8А

Source Current

4А

1EDN7550UXTSA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 вывод(-ов) - характеристики, поставщики