1ED3120MC12HXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), WSOIC, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 470 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers

SP001878178, 1ED3120MC12H

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

1ED3120MC12HXUMA1

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1056402

Технические параметры

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

15В

Минимальное Напряжение Питания

3.1В

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

WSOIC

Задержка по Входу

90нс

Задержка Выхода

90нс

Конфигурация Привода

Высокая Сторона

Power Switch Type

IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Вес, г

0.45

Input Type

Inverting, Non-Inverting

Sink Current

5.5А

Source Current

5.5А

Линейка Продукции

EiceDRIVER 1ED31xxMC12H Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3-168 часов

Техническая документация

Datasheet , pdf , 442 КБ

1ED3120MC12HXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), WSOIC - характеристики, поставщики

Последняя цена 470 руб.

Техническая документация